陳望和小才說話間畢瑾已經去找武廠長和公安同誌去協商上課的事了，而陳望則去了後麵的實驗室。
新廠房這邊的實驗室已經被嚴格管控起來，不僅立了閒人勿進的警示牌，還有專門的值崗亭，裡麵站著的都是荷槍實彈的士兵。
雖然比不上之前陳望去軍區研究所那樣森嚴戒備，但就種架勢已經讓工廠裡的工人都望而卻步不敢靠近一步了。
伍開德和晉成國他們在實驗室旁邊的空房子裡弄了個小的辦公室，此時看見陳望過來都激動不已。
“陳所長，你終於來了。”
早上伍開德在電話已經給陳望說過四機部那邊希望他能再拉製一根用來製造NMOS集成電路的單晶矽棒出來，所以陳望直接問道：“什麼時候要？”
本來有一堆話要問出口伍開德聽到這句話腦子差點沒反應過來，“啊？”
陳望見狀又重複了一遍，“不是要拉製輕摻雜的P型單晶矽棒嗎？要得急嗎？”
“要要要，要得不怎麼急，不是——”這是時間急不急的問題嗎？這是難不難，行不行的問題啊！
但伍開德的話還沒說完陳望又問道：“晶向是＜100＞嗎？”
“是，嗯？我已經說過要求了嗎？陳所長怎麼知道這麼詳細？”
“NMOS電路是基於N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管構建的，要摻雜形成N溝道，那就隻有P型底襯或P型外延層底襯。
但是P型外延層底襯的工藝更加複雜，所以我估計設計者還是得選P型底襯。”
伍開德聽到這裡都驚呆了，因為陳望不僅說得沒錯，而且連當初永光電子廠在設計時為什麼選P型底襯沒有選外延層底襯的原因都說對了！
設計這款集成電路時他也參與過研究，當時要不是實在沒辦法穩定、批量、控製成本的生產出高質量的外延片，他們肯定會選性能更高、功耗更低的外延片底襯。
陳望沒有注意伍開德臉上的驚詫繼續說道：“至於晶向嘛，那就更簡單了，＜100＞晶向的矽晶在熱生長二氧化矽時能產生最低的界麵態密度。
而最低的界麵密度能降低載流子的缺失，從而生長出質量最高、電學特性最穩定的柵氧化層。
所以如果要保證NMOS器件的性能和良率，＜100＞晶向是最好的選擇。”
陳望根本沒把推測出NMOS電路的單晶矽的摻雜類型和晶向當成一個問題，因為在他看來這就是一眼能看出來的事，說這麼多就是想問伍教授四機部什麼時候把製備半導體的儀器設備送過來。
既然已經讓他開始拉製輕摻雜的單晶矽，那他也是時候自己研發芯片了！
伍開德聽完陳望的問題一時不知道該說什麼，因為陳望到之前他滿腦子都還想的是該怎麼攻克輕摻雜工藝的難點。
但陳望現在卻在跟說要設計研發芯片......
這，這......
而此時辦公室裡的其他人除了震驚以外心裡也隻有一個想法：跟著陳所長，這步子邁得不是一般的大啊！
“哦，對了伍教授，你之前說簽了保密協議後就可以進實驗室，那這次我能帶兩個幫手去嗎？”陳望之前不帶是因為工廠沒有專業的研究員，現在有現成的，他當然不會自己再傻傻一個人忙活。
但這話落在眾人耳朵裡那簡直就跟天降餡餅一樣。
於是辦公室裡所有人都齊刷刷舉起了手，一個兩個眼睛亮得嚇人。
“我！”
“我，我去！”
哦，也不是所有人都舉起了手，伍開德就沒有舉手。
但他不是不想舉，也不是覺得自己是教授就放不下麵子不敢舉。
純粹就是年紀太大了，慢了一拍而已。