peng和ga董事會3月都已同意，pga半導體公司投資20億美元（包括基建費用）規劃建設一條180n製程工藝的半導體生產線；4月初，投資16億美元從ga購買一條180n製程工藝的半導體生產線的申請已經交給美國商務部，快3個月了，今天才拿到準許出口的批文。
不是美國商務部官員辦事拖拉，而是對出口一條180n製程工藝的半導體生產線給pga有些分歧。
自從ga和尼康公司研發的90n製程工藝的光刻機先後量產，財大氣粗的inte、ib、ti、ad和hp近水樓台先得月，先後定購了一條價值25
億美元（包括基建費用）的90n製程工藝的半導體生產線。
一條180n製程工藝的半導體生產線從22億美元（包括基建費用）降到20億美元，be如今也能量產250n製程工藝的光刻機，孫健將40台（價值4億美元）250n製程工藝光刻機的生產訂單交給be。
這條180n製程工藝的半導體生產線規劃安裝20台ga生產的180n製程工藝的光刻機和be生產的40台250n製程工藝的光刻機，既能節約成本，光刻效果也不受影響。
be和ga都是孫健控股的公司，作為兩家公司的法人兼董事長，手掌手背都是肉。
去年11月15日，中美兩國簽訂了中國加入世貿組織的雙邊協定，中國去年的gdp達到119萬億美元，隻占美國gdp的121%、日本的249%，按照全球經濟總量的排名來看，中國位居全球第七，排在意大利之後。
美國的頭號對手還是全球經濟老二的日本，繼續打壓日本的半導體產業。
雖然鯤鵬軟件集團在全球軟件市場占據20%的市場份額，但還沒有對美國軟件產業造成實際性的威脅，美國商務部也不容許微軟公司壟斷美國軟件市場。
美國曙光投資公司（ati）控股的ga成了同尼康半導體公司並駕齊驅的光刻機龍頭企業，研發的90n製程工藝光刻機已經量產，但在65n製程工藝上都遇到了無法克服的困難。
尼康光刻機研究院和ga光刻機研究院采用arf193n光源，研發一年多，毫無進展。
業界普遍認為193n光刻無法延伸到65n製程工藝，而157n將成為主流光源技術，但157n光刻技術同樣遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰。
業界對下一代光刻機的發展提出了兩種路線，一是以尼康和佳能等日本光刻機半導體企業，主張開發波長更低的157n的f2準分子激光做為光源；二是ga和英特爾發起建立了euv聯盟，采用極紫外光源(euv)來提供波長更短的光源。
euv聯盟中除了ga、英特爾和牽頭的美國能源部以外，還有摩托羅拉、ad、ib，以及能源部下屬三大國家實驗室勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。
ga光刻機半導體研究院院長兼任光刻機光源研究所所長湯普森院士從1993年7月開始研發euv，ga前後投資了15億美元，也沒有取得成功，1997年7月自動放棄了研究。
1997年10月，湯普森院士出麵邀請英特爾和美國能源部共同開發euv。
前世，英特爾邀請尼康和a加入euv聯盟，但美國政府反對尼康加入，a做出多重承諾後才得到這個千載難遇的機會，資金到位，技術入場，人才雲集，euv聯盟也花了近20年的時間，第一台可量產的aeuv樣機才正式發布。
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