binf/b/div“各位董事，要是euv&nbp;聯盟在未來二年內從理論上證明研製euv光刻機的技術可行，將這個寶貴的機會和重任交給ga，公司不可能放棄，但投資巨大，半導體產業陷入衰退又不可避免，避免兩線作戰，造成資金捉襟見肘，我們隻能將重心放在euv光刻機的研製上。我建議艾德裡安先生和湯普森院長出麵找vg商談，聯合開發157n激光器。”
孫健估計，euv&nbp;聯盟在明年底前就能證明製造euv光刻機在理論上的可行性，但euv光刻機量產最起碼還需要10年，如今也不能告訴大家，到時由be免費提供193n浸沒式光刻機專利技術給ga。
be是在ga擁有的第一代193narf準分子激光器專利技術基礎上研發成功193n浸沒式光刻機技術，核心還是ga擁有技術專利的193n準分子激光器，ga研製的第二代、第三代193n準分子激光器也授權be技術；雖然浸沒式光刻技術屬於be重新開發的公司發明專利，但按照當初簽訂的專利技術授權轉讓合同，要免費授權給ga使用，就像ga去年研發成功的第三代（12英寸晶圓、90n製程工藝）磁懸浮式雙工作台係統，專利還是屬於be，授權ga免費使用。
15u800n製程工藝的光刻機配套6英寸晶圓，500n180n製程工藝光刻機配套8英寸晶圓，90n以下的都配套12英寸晶圓，相配套的磁懸浮工作台係統分彆稱為第一代、第二代、第三代，一代中還有子代，核心技術還是be擁有公司發明專利的第一代。
ga研發成功第二代、第三代磁懸浮式雙工作台係統通過夏季常院士領導的光刻機自動化研究所改進後，青出於藍而勝於藍，返還ga使用，授權其他光刻機公司升級。
be光刻機自動化研究所將來研製為12英寸晶圓、65n製程工藝浸沒式光刻機配套的磁懸浮式雙工作台係統將稱為第四代，10n稱為第五代、7n稱為第六代……be擁有的磁懸浮式雙工作台係統的公司發明專利不會失效。
兩家公司雖然都是孫健控股，手背手心都是肉，但嚴格按照兩國法律辦事，不會留下被人攻擊的把柄。
以ga如今的江湖地位、財力和技術實力，願意同vg聯合開發157n激光器，對雙方都有利，如何說服papen同意就不是孫健關心的事了。
“好的，董事長！”
“好的，董事長！”
孫董事長同意兩條腿走路，艾德裡安和湯普森放心了，他倆有信心說服papen。
其他董事也露出笑容。
孫健也沒辦法說服公司高層放棄研究157n激光器，隻能折中。
1999年財報顯示，vg的銷售收入隻有27億美元，不到ga的5，157n激光器技術路線在前世已被證明沒有遠大前途，孫健不能明說，也說不清楚，正好借這次董事會的機會否決了ga高層打算投資10億美元收購vg的意向。
前世，為了能進入euv&nbp;聯盟，給美國政府一份投名狀，a花費16億美元收購了市值10億美元的vg，拿到了157n激光器需要配置的反折射鏡頭技術，由於已經研發成功193n浸沒式光刻機技術，光刻效果超過nin的157n光刻機技術，vg的157n激光器技術被束之高閣。