3.薄膜沉積與摻雜工藝設備：
真空鍍膜設備：用於在晶圓表麵蒸發沉積鋁膜，以形成晶體管電極和互聯線路。
氣相沉積爐：用於外延生長等工藝，在襯底上生長單晶薄膜。
擴散爐：用於對半導體材料進行定域摻雜，以形成PN結，要求溫度控製精確至±0.5攝氏度。
4.精密封裝與測試設備：
金絲球焊機：用於將晶體管芯與管腳用極細金絲連接。
晶體管自動參數測試分選儀：可對大量晶體管進行快速、自動化的性能測試與分類，大幅提升生產效率與產品一致性。
5.配套精密儀器與基礎工業裝備：
高倍率金相顯微鏡與掃描電子顯微鏡：用於觀測晶體管結構缺陷與線路圖形。
超純水與高純度化學試劑生產線：半導體製造過程中清洗與蝕刻所必需。
高精度恒溫恒濕車間建設技術與相關控製係統。
（三）操作實施建議
1.分級清單：將上述設備分為核心必備與優先爭取兩類，在談判中把握彈性。
2.技術捆綁：要求設備出口必須附帶基礎的操作規程、維護手冊及初步技術培訓。
3.秘密渠道：此部分談判須在嚴格保密狀態下進行，以“舊設備淘汰”、“二手生產線”等名義，通過第三方或特殊渠道執行，相關協議以秘密備忘錄形式簽署。
4.價值評估：成立由技術專家和外貿專員組成的聯合評估組，負責對對方提供的設備與技術進行準確的價值與技術等級評估。
（四）最終目標
通過此交換，我之目標並非簡單獲得一兩台計算機之利潤，而是旨在係統性獲得一條與國際水平接軌的、可自主維係的晶體管及早期集成電路研發與中試生產線。此舉將使我電子工業水平實現跨越式發展，從根本上確保晶體管計算機之後續迭代，並為國防事業提供更可靠、更先進的計算“心臟”。
四、潛在客戶分析與風險評估
1.主要目標客戶：
蘇聯及東歐國家：其自身晶體管計算機研製滯後，在航天、核武、氣象等領域需求迫切，時間窗口寶貴。
西歐國家（如法國、西德）：存在獨立於美國的傾向，且其科研機構與企業對高性能計算有剛性需求，可能願意進行“技術置換”。
特定中立國及資源富國：如印度、部分中東產油國，其發展計劃需強大計算能力支撐。
2.主要風險與應對：
政治壓力：美國及“巴統”必然強烈反對甚至破壞。應對：利用客戶需求與我方產品稀缺性，采取靈活、隱蔽的交易方式，分化西方陣營。
技術泄密：確保核心代碼與硬件設計物理固化，出口版本進行必要技術隔離。
交易複雜性：技術交換的評估與執行難度大。應對：組建跨部門專家團隊負責技術甄彆與價值評估。
五、請求與建議
1.懇請中央批準此“技術交換”原則，並授權成立前述專項小組，立即開展工作。
2.建議在外貿部統籌下，授權我集團在廣交會期間，以此方案為基礎，與經過篩選的潛在客戶進行試探性接觸。
3.為保障談判順利進行，請協調相關部門，在必要時提供外交、情報及安全支持。
以上報告，當否，請批示。